[发明专利]用于金属氧化物还原的预处理方法和所形成的器件

摘要

本发明提供了一种形成半导体器件的方法，该方法包括在第一模块中对晶圆实施远程等离子体处理，以通过还原反应从晶圆中去除氧化物层。该方法还包括在真空下，将预处理后的晶圆从第一模块传送至第二模块。该方法还包括在第二模块中，在晶圆上方形成蚀刻停止层。本发明提供了一种金属氧化物还原的预处理方法及其所形成的器件。

主权项

一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在晶圆上形成互连结构，所述互连结构包括位于其顶表面上的金属氧化物层；对所述晶圆实施远程等离子体处理，以通过还原反应来还原所述互连结构的所述金属氧化物层；在所述晶圆上方形成介电层；以及使所述半导体器件保存在真空条件下，其中，在所述远程等离子体处理之后，使所述半导体器件保存在所述真空条件下，直至形成所述介电层为止；其中，对所述晶圆实施所述远程等离子体处理提高围绕所述金属氧化物层的介电材料的表面部分的介电常数，并且所述表面部分提高后的介电常数小于3.0；其中，对所述晶圆实施所述远程等离子体处理将围绕所述金属氧化物层的介电材料的整个表面部分中的碳浓度保持在等于或大于所述介电材料的核心碳浓度的浓度。