[发明专利]双面黑晶硅高效太阳能电池

摘要

本发明为双面黑晶硅高效太阳能电池，解决巳有太阳能电池生产效率低，不适于大面积生产，光电转换效率低的问题。从上表面至下表面包括：双层减反射薄膜（4）、正面第一负电极（5）、吸收陷光层（3）、掺磷n型层（2）、P型硅基衬底的单晶硅片（1）、掺磷n型层（2）、吸收陷光层（3）、第二负电极（8）、正负电极钝化隔离层（7）、正电极（6），P型硅基衬底的单晶硅片（1）的正反两面的掺磷n型层（2）与吸收陷光层（3）的n+层组合构成高低结（n+/n结），再与P型硅基衬底的单晶硅片（1）的晶体硅形成光电转换(n+/n)/p结构，双面太阳能电池正反面形成两个各自独立的电池。

主权项

双面黑晶硅高效太阳能电池，其特征在于从上表面至下表面包括：正面双层减反射薄膜（4）、正面第一负电极（5）、正面吸收陷光层（3）、正面掺磷n型层（2）、P型硅基衬底（1）、反面掺磷n型层（2）、反面吸收陷光层（3）、反面第二负电极（8）、反面正负电极保护层（7）、反面正电极（6），P型硅基衬底（1）的正反面掺磷n型层（2）与正反面吸收陷光层（3）的n+层组合构成高低结n+/n结，再与P型硅基衬底（1）形成光电转换(n+/n)/p结构，在双面太阳能电池正反面形成两个各自独立的电池，所述正反面吸收陷光层（3）的制备是把晶体硅置于化学腐蚀液中腐蚀制备 “金字塔” 绒面，再将其放置于包含SF6气氛的真空室中利用纳秒激光掺硫形成黑晶硅，激光能量密度选择在晶硅熔融阈值附近，激光光源脉冲波长为532nm，重复频率为10Hz，采用激光的能量为3—10mJ，使硅表面0.5μm至2μm深度处于熔融状态进行掺硫形成黑晶硅，所掺硫的浓度在1019—1021/cm3。