[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，包括提供衬底，在所述衬底上形成第一半导体层；在所述第一半导体层上形成第二半导体层；刻蚀部分所述第二半导体层和第一半导体层，形成若干沿第一方向平行分布的半导体图形；去除第二半导体图形底部的第一半导体图形，形成空腔；进行氧化工艺，在所述第二半导体图形的侧壁和底部、以及衬底的表面形成氧化层，所述氧化层填充满空腔；刻蚀部分所述第二半导体图形，将第二半导体图形沿第二方向断开，在第二半导体图形中形成若干沿第二方向平行分布的第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽中填充满绝缘层，绝缘层的表面与第二半导体图形的表面平齐；在断开后的第二半导体图形的表面形成栅极结构。本发明的方法节约了制作成本。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一半导体层；在所述第一半导体层上形成第二半导体层，第二半导体层的材料与第一半导体层的材料不相同；刻蚀部分所述第二半导体层和部分厚度的第一半导体层，形成若干沿第一方向平行分布的半导体图形，相邻的半导体图形之间具有第一凹槽，所述半导体图形包括位于衬底上的第一半导体图形和位于第一半导体图形上的第二半导体图形；在第二半导体图形的侧壁形成隔离侧墙；形成隔离侧墙后，继续刻蚀剩余的第一半导体层，使第一凹槽的深度增大；沿第一凹槽，去除第二半导体图形底部的第一半导体图形，形成空腔；沿第一凹槽，进行氧化工艺，在所述第二半导体图形的底部、以及衬底的表面形成氧化层，所述氧化层填充满空腔；在形成氧化层后，刻蚀部分所述第二半导体图形，将第二半导体图形沿第二方向断开，在第二半导体图形中形成若干沿第二方向平行分布的第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽中填充满绝缘层，绝缘层的表面与第二半导体图形的表面平齐；在断开后的第二半导体图形的表面形成第一晶体管的栅极结构。