[发明专利]隧穿场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种隧穿场效应晶体管及其形成方法，其中隧穿场效应晶体管包括基底；位于所述基底上的底层鳍部，所述底层鳍部具有第一类型掺杂；位于所述底层鳍部上表面的沟道鳍部，所述沟道鳍部具有第二类型掺杂，第二类型掺杂与第一类型掺杂不同，所述沟道鳍部的电子迁移率大于所述底层鳍部的电子迁移率；横跨所述沟道鳍部的栅极结构；源极，所述源极具有第一类型掺杂；漏极，所述漏极具有第二类型掺杂。本发明提供的隧穿场效应晶体管具有高的工作电流和低的功耗。

主权项

一种隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成底层鳍部和位于所述底层鳍部上表面的沟道鳍部，所述沟道鳍部的电子迁移率大于所述底层鳍部的电子迁移率，所述底层鳍部具有第一类型掺杂，所述沟道鳍部具有第二类型掺杂，第一类型掺杂和第二类型掺杂不同；形成源极和漏极，以及横跨所述沟道鳍部的栅极结构，所述源极具有第一类型掺杂，所述漏极具有第二类型掺杂；先形成源极，再形成漏极；形成源极和漏极的方法包括：形成栅极结构后，在所述基底、栅极结构和沟道鳍部的上表面，以及栅极结构、底层鳍部和沟道鳍部的侧壁形成第一图形化的掩膜层，所述第一图形化的掩膜层暴露栅极结构一侧的沟道鳍部和底层鳍部；在暴露的沟道鳍部和底层鳍部上外延形成源极；去除所述第一图形化的掩膜层；在所述基底、栅极结构、沟道鳍部和源极的上表面，以及栅极结构、底层鳍部、沟道鳍部和源极的侧壁形成第二图形化的掩膜层，所述第二图形化的掩膜层暴露栅极结构另一侧的沟道鳍部和底层鳍部；在暴露的沟道鳍部和底层鳍部上外延形成漏极；去除所述第二图形化的掩膜层。