[发明专利]三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310399141.0 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103469272A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 王秀丽;蔡国发;周鼎;谷长栋;涂江平 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C25D9/02 | 分类号： | C25D9/02;C08G73/02;C09K9/00;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法，其方法包括：将白钨酸溶于过氧化氢水溶液，配制成过氧化钨酸溶液；将过氧化钨酸溶液涂在清洁干净的导电基底的导电面上；将钨盐溶于醇中，形成前躯体溶液，将导电基底固定于反应釜中，将前躯体溶液加入反应釜中，在150～250℃反应8～16h，取出后再在300～450℃热处理1～3h，得到三氧化钨纳米线阵列；将苯胺与稀硫酸混合，形成用于制备聚苯胺的电解液，电聚合聚苯胺即得。该制备工艺控制方便，制造成本较低，易于实现工业化。该薄膜具有光谱调节范围大、变色种类丰富、着色效率高、响应速度快、循环寿命长等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化钨 苯胺 纳米 阵列 变色 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将白钨酸溶于过氧化氢水溶液，加水配制成含钨浓度为1～5mol/L的过氧化钨酸溶液；2）将步骤1）中的过氧化钨酸溶液涂在清洁干净的导电基底的导电面上，得到覆盖有晶种层的导电基底；3）将钨盐溶于醇中，形成前躯体溶液，将步骤2）中的覆盖有晶种层的导电基底固定于反应釜中，将前躯体溶液加入反应釜中，在150℃～250℃反应8h～16h，取出后再在300℃～450℃热处理1h～3h，得到三氧化钨纳米线阵列；4）将苯胺与稀硫酸混合，形成用于制备聚苯胺的电解液；5）将步骤3）中的氧化钨纳米线阵列为工作电极、Ag/AgCl电极为参比电极以及铂片电极为对电极，采用步骤4）中用于制备聚苯胺的电解液，在电化学工作站上用循环伏安的方法电聚合聚苯胺，得到三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜。
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