[发明专利]电平移位装置在审
申请号: | 201310399161.8 | 申请日: | 2013-09-05 |
公开(公告)号: | CN103684412A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 郑在锡 | 申请(专利权)人: | LS产电株式会社 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;邓玉婷 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种电平移位装置。用于将具有低电压电平的输入信号转换成具有高电压电平的输出信号的电平移位装置包括锁存型电平移位器和电压生成器。锁存型电平移位器包括两个上部上拉P通道晶体管和用于防止两个上部上拉P通道晶体管的栅源电压击穿的两个下部P通道晶体管。两个上部上拉P通道晶体管和两个下部P通道晶体管形成锁存结构。电压生成器生成电压以防止两个上部上拉P通道晶体管的栅源电压击穿,并且提供电压给两个下部P通道晶体管的栅极。 | ||
搜索关键词: | 电平 移位 装置 | ||
【主权项】:
一种电平移位装置,用于将具有第一电压电平的输入信号转换成具有第二电压电平的输出信号,该电压移位装置包括:锁存型电平移位器,包括两个上部上拉P通道晶体管和用于防止两个上部上拉P通道晶体管的栅源电压击穿的两个下部P通道晶体管,其中,以锁存结构配置两个上部上拉P通道晶体管和两个下部P通道晶体管;以及电压生成器,用于生成电压以防止两个上部上拉P通道晶体管的栅源电压击穿,并且提供电压给两个下部P通道晶体管的栅极,其中第二电压电平高于第一电压电平。
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