[发明专利]静电吸盘在审
申请号: | 201310400048.7 | 申请日: | 2013-09-05 |
公开(公告)号: | CN103681437A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 穴田和辉;和田琢真 | 申请(专利权)人: | TOTO株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 周善来;李雪春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种静电吸盘,其能够将吸附保持的处理对象物维持在所希望的温度。具体而言,其特征为,具备:陶瓷电介体基板,其为多结晶陶瓷烧结体,具有放置处理对象物的第1主面和第1主面相反侧的第2主面;电极层,内设于陶瓷电介体基板的第1主面与第2主面之间,一体烧结于陶瓷电介体基板;调温板,设置在第2主面侧;及加热器,设置在电极层与调温板之间,陶瓷电介体基板具有:第1电介层,位于电极层与第1主面之间;及第2电介层,位于电极层与第2主面之间,陶瓷电介体基板的第1电介层与第2电介层的红外线分光透过率为,按1mm厚度换算时为20%以上。 | ||
搜索关键词: | 静电 吸盘 | ||
【主权项】:
一种静电吸盘,其特征为,具备:陶瓷电介体基板,其为多结晶陶瓷烧结体,具有放置处理对象物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面;电极层,内设于所述陶瓷电介体基板的所述第1主面与所述第2主面之间,一体烧结于所述陶瓷电介体基板;调温板,设置在所述第2主面侧;及加热器,设置在所述电极层与所述调温板之间,所述陶瓷电介体基板具有:第1电介层,位于所述电极层与所述第1主面之间;及第2电介层,位于所述电极层与所述第2主面之间,所述陶瓷电介体基板的所述第1电介层与所述第2电介层的红外线分光透过率为,按1mm厚度换算时为20%以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TOTO株式会社,未经TOTO株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310400048.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造