[发明专利]一种倒装LED芯片的欧姆接触电极结构及倒装LED芯片无效
| 申请号： | 201310400362.5 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103456856A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 唐小玲;夏红艺;罗路遥 | 申请（专利权）人： | 深圳市智讯达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 深圳市凯达知识产权事务所 44256 | 代理人： | 刘大弯 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装LED芯片的欧姆接触电极结构以及含有该结构的倒装LED芯片，倒装LED芯片的欧姆接触电极结构，芯片包括蓝宝石衬底、设置在蓝宝石衬底下侧的N型半导体层和置于N型半导体层下侧的P型半导体层，P型半导体层下侧覆盖有P型欧姆接触电极层，在P型半导体层和P型欧姆接触电极层上设有长条形的沟槽，沟槽从P型欧姆接触电极层的底面延伸至N型半导体层上，N型半导体层的下侧在沟槽内的部分设有N型欧姆接触电极，N型欧姆接触电极成长条形沿沟槽分布。设计长条形的欧姆接触电极，使倒装LED芯片进行锡焊封装，相比共晶焊接，成本更低；倒装LED芯片的P型和N型半导体之间电流分布均匀，提高芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 欧姆 接触 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种倒装LED芯片的欧姆接触电极结构，芯片包括蓝宝石衬底、设置在蓝宝石衬底下侧的N型半导体层和置于N型半导体层下侧的P型半导体层，其特征在于：P型半导体层下侧覆盖有P型欧姆接触电极层，在P型半导体层和P型欧姆接触电极层上设有长条形的沟槽，沟槽从P型欧姆接触电极层的底面延伸至N型半导体层上，N型半导体层的下侧在沟槽内的部分设有N型欧姆接触电极，N型欧姆接触电极成长条形沿沟槽分布。
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