[发明专利]一种石墨烯和碳纳米管复合材料的制备方法有效
申请号: | 201310400909.1 | 申请日: | 2013-09-05 |
公开(公告)号: | CN103436854A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 田宏伟;郑伟涛;丁媛媛;胡小颖;安涛 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 王恩远 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明的一种石墨烯和碳纳米管复合材料的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。首先通过磁控溅射方法在干净的衬底上制备过渡层和催化剂;然后将镀有过渡层和催化剂的衬底放入等离子体增强化学气相沉积设备中,通入保护气体并对衬底程序加热,再通入甲烷进行反应,制得石墨烯和碳纳米管的复合材料。本发明利用化学气相沉积法在催化剂衬底上一步合成石墨烯和碳纳米管复合材料,这种制备方法具有操作简单,生长速率适当,可以在不同尺寸基片上沉积样品,沉积温度较低等优良的特点;所制备的复合材料均匀,场发射性能优异。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 纳米 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯和碳纳米管复合材料的制备方法,步骤有:首先,用磁控溅射设备在清洗干净的单晶硅(100)衬底表面制备钛过渡层和钴催化剂层;其次,将镀好过渡层和催化剂层的衬底放到等离子体增强化学气相沉积设备中,抽真空至反应室压强小于10Pa时通氩气作保护气体,氩气流量为30sccm;保持反应室压强为200Pa;打开加热电源,用40分钟时间加热到800℃;然后,当反应室温度稳定在800℃后,通入碳源气体,调整保护气体和碳源气体流量分别为70sccm和15sccm,并保持反应室内压强为800~1000Pa;所述的碳源气体为烃类化合物;最后,当压强和温度都稳定后,打开射频电源,调节溅射功率为200W,沉积36分钟后关闭射频电源、加热电源和碳源气体,样品在氩气保护下自然冷却,得到石墨烯和碳纳米管复合材料。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的