[发明专利]用于临时键合的载片结构及其制作方法有效
申请号: | 201310401208.X | 申请日: | 2013-09-05 |
公开(公告)号: | CN103441093A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 靖向萌;姜峰;于大全 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/02 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 殷红梅 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种用于临时键合的载片结构,包括一载片晶圆,在所述载片晶圆的上表面开有凹槽,在所述凹槽底部设有一衬底载片,所述衬底载片的形状和凹槽的形状相匹配,并且衬底载片的厚度小于凹槽的深度;在衬底载片上表面涂覆有一层缓冲胶,所述缓冲胶经过固化;在固化后的缓冲胶的上表面和凹槽四周的载片晶圆的上表面涂覆有临时键合胶,所述缓冲胶与临时键合胶粘性相斥;器件晶圆通过临时键合胶与凹槽四周的载片晶圆的上表面键合。本发明亦提供了上述载片结构的制作方法。本发明能够实现低成本的临时键合工艺,并且能够显著降低器件晶圆碎片的风险。 | ||
搜索关键词: | 用于 临时 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种用于临时键合的载片结构,包括一载片晶圆(1),在所述载片晶圆(1)的上表面开有凹槽(2),其特征在于:在所述凹槽(2)底部设有一衬底载片(3),所述衬底载片(3)的形状和凹槽(2)的形状相匹配,并且衬底载片(3)的厚度小于凹槽(2)的深度;在衬底载片(3)上表面涂覆有一层缓冲胶(4),所述缓冲胶(4)经过固化;在固化后的缓冲胶(4)的上表面和凹槽(2)四周的载片晶圆(1)的上表面涂覆有临时键合胶(5),所述缓冲胶(4)与临时键合胶(5)粘性相斥;器件晶圆(6)通过临时键合胶(5)与凹槽(2)四周的载片晶圆(1)的上表面键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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