[发明专利]过刻蚀率的测试结构及其形成方法、过刻蚀率的测量方法有效
| 申请号： | 201310401295.9 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104425450B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 周俊卿;孟晓莹;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种过刻蚀率的测试结构及其形成方法、过刻蚀率的测量方法，其中过刻蚀率的测试结构包括基底，基底包括第一区和第二区；位于第一区上的第一层间介质层；位于第二区上的第二层间介质层；位于第二层间介质层上的第一刻蚀停止层，第一刻蚀停止层的上表面与第一层间介质层的上表面齐平；位于所述第一刻蚀停止层和第一层间介质层上的第三层间介质层；位于第一区上第三层间介质层中的第一沟槽；位于第二区上第三层间介质层中的第二沟槽；第一通孔，第一通孔呈上大下小的截头圆锥形；第二通孔，第二通孔上大下小的截头圆锥形。本发明提供的测试结构可以减小测量过刻蚀率的复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 测试 结构 及其 形成 方法 测量方法 | ||
【主权项】：
一种过刻蚀率的测试结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括位于不同位置的第一区和第二区；位于第一区上的第一层间介质层；位于第二区上的第二层间介质层；位于第二层间介质层上的第一刻蚀停止层，第一刻蚀停止层的上表面与第一层间介质层的上表面齐平；位于所述第一刻蚀停止层和第一层间介质层上的第三层间介质层，第一层间介质层、第二层间介质层和第三层间介质层的材料相同；位于第一区上第三层间介质层中的第一沟槽；位于第二区上第三层间介质层中的第二沟槽；位于第一沟槽下方、第三层间介质层和第一层间介质层中的第一通孔，所述第一通孔呈上大下小的截头圆锥形；位于第二沟槽下方、第三层间介质层中的第二通孔，所述第二通孔呈上大下小的截头圆锥形。
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