[发明专利]发光装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201310401302.5 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103779373A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 金璨洙;金东佑;金克;高宗万 | 申请（专利权）人： | 日进LED有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光装置及其制造方法，该发光装置包含:发光单元，形成于衬底的一个表面上，其中所述发光单元包括多个半导体层且发射特定波长的光;以及波长转换层，形成于所述衬底的另一表面上且达到所述衬底的侧面的特定高度，其中所述波长转换层转换从所述发光单元发射的光的波长。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光装置，其特征在于，包括:衬底，在所述衬底的一个表面上形成了多个发光单元，其中所述多个发光单元包括多个半导体层且发射特定波长的光;多个切口部分，形成于所述衬底的另一表面上位于特定深度处;以及波长转换层，形成于所述衬底的所述另一表面和所述多个切口部分上，其中所述波长转换层转换从所述发光单元发射的光的波长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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