[发明专利]互连结构及其形成方法

摘要

一种互连结构及其形成方法，其中互连结构包括：基底，所述基底中形成有通孔；所述通孔内形成有Cu插塞，所述Cu插塞在所述通孔开口边缘形成了凹陷；第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层，所述第一扩散阻挡层覆盖所述凹陷，所述第二扩散阻挡层覆盖所述基底、Cu插塞和第一扩散阻挡层；位于所述第二扩散阻挡层上的互连线。本发明提供的互连结构可以防止Cu插塞中的Cu扩散进入互连线中。

主权项

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底为硅基底；在所述基底中形成通孔，所述通孔为硅穿通孔；在所述通孔内形成Cu插塞，所述Cu插塞在所述通孔开口边缘形成了凹陷；形成Cu插塞后，形成第一扩散阻挡层，所述第一扩散阻挡层覆盖所述凹陷，所述第一扩散阻挡层未覆盖Cu插塞的整个上表面，所述第一扩散阻挡层能够避免Cu从第二扩散阻挡层的断裂处扩散至互连线中；在所述基底、Cu插塞和第一扩散阻挡层上表面形成第二扩散阻挡层；在所述第二扩散阻挡层上形成互连线；或者，形成Cu插塞后，在所述基底和Cu插塞上形成第二扩散阻挡层，所述第二扩散阻挡层暴露出所述凹陷；形成第一扩散阻挡层，所述第一扩散阻挡层覆盖所述凹陷，所述第一扩散阻挡层未覆盖Cu插塞的整个上表面，所述第一扩散阻挡层能够避免Cu从第二扩散阻挡层的断裂处扩散至互连线中；在所述第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层上形成互连线；其中，形成所述第一扩散阻挡层包括：在所述基底和Cu插塞上形成第一扩散阻挡材料层；在所述第一扩散阻挡材料层上形成图形化的光刻胶，所述图形化的光刻胶定义所述第一扩散阻挡层的位置；以所述图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀所述第一扩散阻挡材料层，得到所述第一扩散阻挡层，然后去除所述图形化的光刻胶。