[发明专利]P3MT/N-GE修饰玻碳电极以及在检测农药辛硫磷的应用有效
申请号: | 201310402047.6 | 申请日: | 2013-09-06 |
公开(公告)号: | CN103454327A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 雷武;韩振;郝青丽;夏明珠;王风云 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30;G01N27/48;C04B41/52 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 朱显国 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种P3MT/N-GE修饰玻碳电极及其在检测农药辛硫磷的应用。本发明所述P3MT/N-GE修饰玻碳电极是将制备好的氮掺杂石墨烯超声分散在N,N-二甲基甲酰胺溶液中,然后将该分散液滴加在玻碳电极上,蒸干溶剂即得到敏感膜与玻碳电极构建的氮掺杂石墨烯修饰电极;在含有3甲基噻吩单体和高氯酸锂的乙腈溶液中通过电化学聚合制备聚3甲基噻吩/氮掺杂石墨烯(P3MT/N-GE)修饰电极。该修饰电极制备操作简单、对环境友好、成本低廉,而且所述修饰电极可用于农药辛硫磷的检测,并具灵敏度高、线性范围宽、重现性好、稳定性高等特点,最低检出限达到0.002µmol/L。 | ||
搜索关键词: | p3mt ge 修饰 电极 以及 检测 农药 辛硫磷 应用 | ||
【主权项】:
一种P3MT/N‑GE修饰玻碳电极,其特征在于所述电极由以下步骤制备:(1)N‑GE修饰电极的制备:将一定量的氮掺杂石墨烯,用N,N‑二甲基甲酰胺稀释然后超声分散,制得N‑GE分散液,取 N‑GE分散液滴涂在抛光后的玻碳电极表面,溶剂挥发后得到覆有敏感膜的氮掺杂石墨烯修饰玻碳电极;(2)聚P3MT/N‑GE修饰玻碳电极的制备:将纯3甲基噻吩单体滴加到含有高氯酸锂的乙腈液中,然后超声半小时,得到含有3甲基噻吩单体的混合溶液,将步骤(1)制备的N‑GE修饰玻碳电极置于混合溶液中,电位区间为0.2 ‑ 1.7 V循环伏安聚合5‑30圈,扫速为100 mV/s, 得到聚P3MT/N‑GE修饰的玻碳电极。
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