[发明专利]肖特基栅阵型太赫兹调制器

摘要

本发明公开了一种肖特基栅阵型太赫兹调制器装置及其调控方法。本发明采用周期性栅型金属-半导体表面等离子体波导结构，利用金属-半导体界面形成的肖特基接触以及太赫兹表面等离子体激元位置与肖特基接触重合的特点，通过引入正、负电极并施加电压，实现了器件的太赫兹调制功能。该器件将光学微结构波导与半导体电子器件有机地结合起来，使其能与其他电子学元件和系统很好地集成，又能完成太赫兹波传输和谐振的光学功能。该器件工作在2.2～3.2THz，工作频率可随工作电压调谐，最大调制深度16dB，最高调制速率22MHz，是一种小型化、可集成的片上电控高速太赫兹调制器件，满足太赫兹宽带无线通信的应用要求。

主权项

一种肖特基栅阵型太赫兹调制器，其特征在于包括基底金属栅阵(1)、台阶金属栅阵(2)、掺杂砷化镓栅型台阶(3)、掺杂砷化镓外延层(4)、半绝缘砷化镓衬底(5)、正电极(6)、负电极(7)。