[发明专利]摄像装置及其制造方法有效
申请号: | 201310404801.X | 申请日: | 2013-09-04 |
公开(公告)号: | CN103681714B | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 富松孝宏;神野健;川村武志 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种摄像装置及其制造方法。一种可防止因波导与光电二极管的距离偏差、以及因射入光的反射抑制引起的光衰减而造成像素部的感光度劣化的摄像装置和制造方法。在像素区域PE中,形成有贯穿第四层间绝缘膜IF4等并到达侧壁绝缘膜SWI的波导WG。侧壁绝缘膜SWI为氧化硅膜与氮化硅膜的层叠结构。波导WG以贯穿侧壁绝缘膜的氮化硅膜并到达侧壁绝缘膜的氧化硅膜SWO的方式形成,或者以到达侧壁绝缘膜的氮化硅膜的方式形成。 | ||
搜索关键词: | 摄像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种摄像装置,其特征在于,具有:具有主表面的半导体衬底;光电转换部,其形成于所述半导体衬底的预定区域并将射入的光转换成电荷;传输用晶体管的栅极电极,其形成于所述半导体衬底的表面上并传输在所述光电转换部产生的电荷;侧壁绝缘膜,其覆盖所述栅极电极的侧壁面,并且包括从覆盖所述侧壁面的部分延伸并覆盖所述光电转换部的表面的部分;层间绝缘膜,其以覆盖所述侧壁绝缘膜的方式形成;以及波导,其以贯穿所述层间绝缘膜并到达所述侧壁绝缘膜的方式形成,并且将光导向所述光电转换部,所述侧壁绝缘膜具有:氧化硅膜;以及以接触所述氧化硅膜的表面的方式形成的氮化硅膜;所述氧化硅膜和所述氮化硅膜具有相同图形地层叠,所述侧壁绝缘膜以连续地覆盖所述栅极电极的所述侧壁面、所述光电转换部的所述表面、以及规定像素区域和外围电路区域的元件隔离绝缘膜的方式形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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