[发明专利]SiC衬底同质网状生长Web Growth外延方法

摘要

本发明涉及一种SiC衬底同质Web Growth外延方法，方法包括：选取正轴4H或6H的原始SiC衬底；将原始SiC衬底进行显影处理和干刻蚀工艺处理，处理为加工SiC衬底；利用外延炉对加工SiC衬底进行原位刻蚀；对加工SiC衬底进行同质外延处理；加工SiC衬底在刻蚀图形内角处进行悬臂生长生成SiC外延片，生长出的悬臂为无缺陷的碳硅双原子层结构；生长出的悬臂愈合形成一层碳硅双原子层薄膜覆盖刻蚀台面区域；从外延炉中取出生长好的SiC外延片。本发明SiC衬底同质Web Growth外延方法实现了在正轴碳化硅衬底最顶端的刻蚀台面上外延薄的一层完全无缺陷的悬臂，并且有效缩短外延时间并提高薄膜生长面积。

主权项

一种碳化硅SiC衬底同质网状生长Web Growth外延方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1，选取正轴4H或6H的原始SiC衬底；步骤2，将所述原始SiC衬底进行显影处理和干刻蚀工艺处理，处理为加工SiC衬底；所述SiC衬底成为台面，刻蚀面积为所需制造器件的面积，刻蚀深度为5um到20um，所述台面具有六个主轴；步骤3，利用外延炉对所述加工SiC衬底进行原位刻蚀，清除所述加工SiC衬底的表面缺陷；步骤4，升高所述外延炉温度，对所述加工SiC衬底进行同质外延处理；步骤5，所述加工SiC衬底在刻蚀图形内角处进行悬臂生长生成SiC外延片，生长出的悬臂为无缺陷的碳硅双原子层结构；生长出的悬臂愈合形成一层碳硅双原子层薄膜覆盖刻蚀所述台面区域；悬臂生长时间为20‑‑40分钟；步骤6，从所述外延炉中取出生长好的所述SiC外延片。