[发明专利]单相逆变器在审
| 申请号： | 201310405214.2 | 申请日： | 2013-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103475253A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 贾仁需;于海明;张艺蒙;宋庆文;闫宏丽 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人： | 李楠;戴燕 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单相逆变器，包括：第一场效应管Q1的漏极与第一二极管D1的阴极相连接，源极与D1的阳极连接；第二场效应管Q2的漏极与第二二极管D2的阴极连接，源极与D2的阳极相连接；第三场效应管Q3的漏极与第三二极管D3的阴极相连接，源极与D3的阳极连接；第四场效应管Q4的漏极与第四二极管D4的阴极连接，源极与D4的阳极相连接；还包括电源。本发明的单相逆变器利用SiC材料的耐高温特性使得逆变器可以在高温下减少甚至不需要冷却，SiC器件的快速开通和关断特性，逆变器可以高频工作，以及SiC的宽的禁带，SiC的器件可以在高压下工作。 | ||
| 搜索关键词： | 单相 逆变器 | ||
【主权项】：
一种单相逆变器，其特征在于，包括：第一场效应管Q1、第二场效应管Q2、第三场效应管Q3、第四场效应管Q4，以及第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4；所述第一场效应管Q1的漏极与所述第一二极管D1的阴极相连接，所述第一场效应管Q1的源极与所述第一二极管D1的阳极连接；所述第二场效应管Q2的漏极与所述第二二极管D2的阴极连接，所述第二场效应管Q2的源极与所述第二二极管D2的阳极相连接；所述第三场效应管Q3的漏极与所述第三二极管D3的阴极相连接，所述第三场效应管Q3的源极与所述第三二极管D3的阳极连接；所述第四场效应管Q4的漏极与所述第四二极管D4的阴极连接，所述第四场效应管Q4的源极与所述第四二极管D4的阳极相连接；所述单相逆变器还包括电源，所述第一场效应管Q1的漏极与第二场效应管Q2的漏极，所述第一二极管D1的阴极与第二二极管D2阴极与所述电源的正极相连接；所述第三场效应管Q3的源极与第四场效应管Q4的源极，所述第三二极管D3的阳极与第四二极管D4的阳极与电源的负极相连接；所述第一场效应管Q1的源极与所述第三场效应管Q3的漏极与外部负载的一端相连接；所述第二场效应管Q2的源极与所述第四场效应管Q4的漏极与所述外部负载的另一端相连接。
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