[发明专利]一种自对准硅化物晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201310406499.1 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104425572B | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 马万里;闻正锋;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/737;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 杜秀科 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种自对准硅化物晶体管及其制作方法，所述自对准硅化物晶体管的制作方法，包括形成位于衬底上的栅极及位于所述栅极上的抗氧化层；将离子注入及驱入所述栅极一侧的衬底内形成体区，所述衬底表面和所述栅极两侧生成设定的第一厚度氧化层；对所述抗氧化层进行去除；形成位于所述栅极上的自对准硅化物层；对所述第一厚度氧化层进行刻蚀，形成设定的第二厚度氧化层；形成位于所述体区内的源区及位于所述栅极另一侧的衬底内的漏区。采用本发明的技术方案，可以方便形成自对准硅化物晶体管的源区和漏区，并减少源区和漏区的桥接现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 硅化物 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种自对准硅化物晶体管的制作方法，其特征在于，包括：形成位于衬底上的栅极及位于所述栅极上的抗氧化层；将离子注入及驱入所述栅极一侧的衬底内形成体区，所述衬底表面和所述栅极两侧生成设定的第一厚度氧化层；其中，所述栅极两侧生成的设定的第一厚度氧化层的高度与栅极的高度一致；对所述抗氧化层进行去除；形成位于所述栅极上的自对准硅化物层；对所述第一厚度氧化层进行刻蚀减薄，形成设定的第二厚度氧化层；形成位于所述体区内的源区及位于所述栅极另一侧的衬底内的漏区。
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