[发明专利]一种LED高亮度倒装芯片以及制作方法有效
| 申请号： | 201310406608.X | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103441198A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 魏天使;刘撰;陈立人;余长治;李忠武 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种LED高亮度倒装芯片以及制作方法，包括衬底，成形在所述衬底上、且由N型导电层、发光层和P型导电层组成的外延层，分别与N型导电层和P型导电层电连接的N型电极和P型电极，和具有N型、P型导电区域的散热基片，所述N型电极和P型电极分别与所述散热基片的N型导电区域和P型导电区域电连接，所述衬底背面作为所述倒装芯片的出光面，其中，所述倒装芯片包括DBR反射层，所述DBR反射层成形在所述倒装芯片上，所述P型电极贯穿所述DBR反射层并向外延伸；本发明大幅度地提高了出光效率，且散热效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 亮度 倒装 芯片 以及 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED高亮度倒装芯片，包括衬底，成形在所述衬底上、且由N型导电层、发光层和P型导电层组成的外延层，分别与N型导电层和P型导电层电连接的N型电极和P型电极，和具有N型、P型导电区域的散热基片，所述N型电极和P型电极分别与所述散热基片的N型导电区域和P型导电区域电连接，所述衬底背面作为所述倒装芯片的出光面，其特征在于，所述倒装芯片包括DBR反射层，所述DBR反射层成形在所述倒装芯片上，所述P型电极贯穿所述DBR反射层并向外延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聚灿光电科技（苏州）有限公司，未经聚灿光电科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310406608.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：脑血流检测探头支架
- 下一篇：光纤与电力电缆合理敷设的方法与系统
