[发明专利]聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺无效
| 申请号： | 201310406937.4 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104425704A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 龚伶 | 申请（专利权）人： | 龚伶 |
| 主分类号： | H01L41/45 | 分类号： | H01L41/45 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺，包括以下步骤：步骤一、在聚偏氟乙烯薄膜的一个面上蒸镀厚度为90～100nm的银作为金属电极；步骤二、将镀有金属电极的聚偏氟乙烯薄膜置于加热器内，聚偏氟乙烯薄膜镀有金属电极的一面向下并接地，在聚偏氟乙烯薄膜上方设置网格电极，再在网格电极上方设置铜电极针；步骤三、将加热器内温度调至50～60℃，并向网格电极通5KV电压，向铜电极针通15KV电压，持续3～5min；步骤四、停止加热和通电，并将极化后的聚偏氟乙烯薄膜取出放入干燥器内。采用本发明极化聚偏氟乙烯薄膜，工艺简单，操作便捷，进而能提高聚偏氟乙烯薄膜的制造效率，节省制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 聚偏氟 乙烯 薄膜 极化 工艺 | ||
【主权项】：
聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在聚偏氟乙烯薄膜的一个面上蒸镀厚度为90～100nm的银作为金属电极；步骤二、将镀有金属电极的聚偏氟乙烯薄膜置于加热器内，聚偏氟乙烯薄膜镀有金属电极的一面向下并接地，在聚偏氟乙烯薄膜上方设置网格电极，再在网格电极上方设置铜电极针，其中，铜电极针下端和网格电极均位于加热器内；步骤三、将加热器内温度调至50～60℃，并向网格电极通5KV电压，向铜电极针通15KV电压，持续3～5min；步骤四、停止加热和通电，并将极化后的聚偏氟乙烯薄膜取出放入干燥器内。
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