[发明专利]锆合金基体表面碳化硅涂层材料的制备方法

摘要

本发明涉及锆合金基体表面碳化硅涂层材料的制备方法，包括：（1）对锆合金基体进行表面净化处理；（2）研磨聚碳硅烷成粉末；（3）配制聚碳硅烷的CCl4溶液；（4）在锆合金基体表面浸涂聚碳硅烷的CCl4溶液；（5）将浸涂后的锆合金基体放入真空炉使聚碳硅烷发生裂解反应，冷却；（6）取出冷却后的锆合金基体，重复步骤（4）、（5）多次；（7）将表面生成SiC涂层的锆合金基体预氧化。本发明将含PCS的溶液浸涂在锆合金基体表面，在≤1100℃条件下进行低温裂解反应，并通过多次浸涂、裂解，可制得与基体结合强度较高且致密的SiC涂层，经预氧化后能有效地保护锆合金基体；制备方法、设备简单，成本低，经济性好。

主权项

锆合金基体表面碳化硅涂层材料的制备方法，包括以下步骤：（1）对锆合金基体进行表面净化处理； （2）将原料聚碳硅烷研磨，得到聚碳硅烷粉末；（3）将步骤（2）得到的聚碳硅烷粉末溶于溶剂CCl4中，配制10～30wt% 聚碳硅烷的CCl4溶液；（4）在锆合金基体表面浸涂步骤（3）得到的聚碳硅烷的CCl4溶液，晾干，使锆合金基体表面附着聚碳硅烷涂层；（5）将步骤（4）得到的涂有聚碳硅烷涂层的锆合金基体放入真空炉，升温至800～1100℃，保温2～4小时，使聚碳硅烷发生裂解反应，之后随炉冷却至室温；（6）取出步骤（5）中冷却后的锆合金基体，重复步骤（4）、（5），至锆合金基体表面生成的SiC涂层厚度符合使用要求；（7）将步骤（6）得到的表面生成SiC涂层的锆合金基体进行预氧化处理，预氧化温度600～800℃，保温0.5～3h。