[发明专利]半导体器件结构及其形成方法

摘要

本发明提出一种半导体器件结构及其形成方法，在半导体衬底上依次形成缓冲层、拉应力层以及沟道层；接着在沟道层上形成栅介质层和栅极；接着刻蚀所述拉应力层，使所述拉应力层凹陷预定深度并位于沟道层和缓冲层的中间位置；接着形成外延层以及源/漏极；由于所述拉应力层凹陷预定深度并位于沟道层和缓冲层的中间位置，从而能够对所述沟道层中间位置有顶起的作用，能够增加所述沟道层中的拉应力，进而可以增加载流子的迁移率，提高半导体器件的性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供半导体衬底，用于形成半导体器件的NMOS管；在所述半导体衬底上依次形成缓冲层、拉应力层以及沟道层；在所述沟道层上形成栅介质层、栅极以及侧墙，其中所述栅极形成于所述栅介质层表面，所述侧墙形成于所述栅极以及栅介质层的两侧；依次刻蚀所述沟道层、拉应力层以及缓冲层，使所述沟道层、拉应力层以及缓冲层残留在所述侧墙和栅介质层的下方；刻蚀残留的所述拉应力层，使所述拉应力层的侧壁相对于所述沟道层和缓冲层的侧壁凹陷一预定深度；在半导体衬底上形成一外延层，所述外延层包围所述缓冲层、拉应力层、沟道层以及侧墙的部分高度；在所述外延层中形成源/漏极，所述源/漏极位于所述侧墙的两侧。