[发明专利]晶片加工方法在审
| 申请号： | 201310408381.2 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103681297A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 内田文雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 晶片加工方法，能减小晶片上形成的间隔道的宽度，能在器件不产生缺损的情况下进行分割。该晶片加工方法针对在由间隔道划分成的多个区域中形成有器件的晶片，沿着间隔道对晶片进行分割，所述间隔道以格子状形成在晶片正面，该晶片加工方法包括：保护部件粘贴工序，在晶片正面粘贴保护部件；分割槽形成工序，从晶片的背面侧沿着间隔道定位切削刀具，在与间隔道对应的区域中，以保留预定厚度的方式形成未到达正面的分割槽；晶片支承工序，将实施了分割槽形成工序后的晶片的背面粘贴到安装于环状框架的划片带上，并剥离保护部件；晶片分割工序，对实施了晶片支承工序且粘贴于划片带上的晶片施加外力，沿着形成有分割槽的间隔道将晶片分割成各个器件。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片加工方法，针对在由间隔道划分而成的多个区域中分别形成有器件的晶片，沿着间隔道对所述晶片进行分割，其中，所述间隔道以格子状形成在所述晶片的正面，其特征在于，该晶片加工方法包括：保护部件粘贴工序，在晶片的正面粘贴保护部件；分割槽形成工序，从晶片的背面侧沿着间隔道定位切削刀具，在与间隔道对应的区域中，以保留预定厚度的方式形成未到达正面的分割槽；晶片支承工序，将实施了该分割槽形成工序后的晶片的背面粘贴到安装于环状框架的划片带上，并且剥离该保护部件；以及晶片分割工序，对实施了该晶片支承工序而粘贴于该划片带上的晶片施加外力，沿着形成有分割槽的间隔道将晶片分割成各个器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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