[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201310408666.6 申请日: 2013-09-10
公开(公告)号: CN103681238A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 沼口浩之 申请(专利权)人: 拉碧斯半导体株式会社
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/304
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 袁波;李浩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明能将通过只对一方的主面的内周部进行磨削而进行薄化且在该一方的面形成有金属膜的半导体晶片从该一方的面进行切割,防止切割刀的阻塞。在半导体晶片10的第一主面P1沿切割线20排列的多个元件区域12的每一个形成半导体元件。以使半导体晶片10的与第一主面P1相反侧的第二主面P2的外周部比内周部厚的方式磨削第二主面P2。在磨削工序中进行磨削的第二主面P2,以避开切割线20上方的方式形成金属膜50。沿切割线20上的金属膜50的非形成部从第二主面侧P2切断半导体晶片10。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,包括:元件工序,在半导体晶片的第一主面的被假想的切割线所包围的多个元件区域的每一个形成半导体元件;磨削工序,以使所述半导体晶片的与所述第一主面相反侧的第二主面的外周部比内周部厚的方式磨削所述第二主面;金属膜形成工序,在所述磨削工序中被磨削的所述第二主面以避开与所述切割线对应的部分的方式形成金属膜;以及切断工序,沿所述切割线上的所述金属膜的非形成部从所述第二主面侧切断所述半导体晶片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拉碧斯半导体株式会社,未经拉碧斯半导体株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310408666.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top