[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 201310408666.6 | 申请日: | 2013-09-10 |
公开(公告)号: | CN103681238A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 沼口浩之 | 申请(专利权)人: | 拉碧斯半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/304 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 袁波;李浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明能将通过只对一方的主面的内周部进行磨削而进行薄化且在该一方的面形成有金属膜的半导体晶片从该一方的面进行切割,防止切割刀的阻塞。在半导体晶片10的第一主面P1沿切割线20排列的多个元件区域12的每一个形成半导体元件。以使半导体晶片10的与第一主面P1相反侧的第二主面P2的外周部比内周部厚的方式磨削第二主面P2。在磨削工序中进行磨削的第二主面P2,以避开切割线20上方的方式形成金属膜50。沿切割线20上的金属膜50的非形成部从第二主面侧P2切断半导体晶片10。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,包括:元件工序,在半导体晶片的第一主面的被假想的切割线所包围的多个元件区域的每一个形成半导体元件;磨削工序,以使所述半导体晶片的与所述第一主面相反侧的第二主面的外周部比内周部厚的方式磨削所述第二主面;金属膜形成工序,在所述磨削工序中被磨削的所述第二主面以避开与所述切割线对应的部分的方式形成金属膜;以及切断工序,沿所述切割线上的所述金属膜的非形成部从所述第二主面侧切断所述半导体晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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