[发明专利]具有电流浪涌能力的结势垒肖特基二极管有效
| 申请号： | 201310409182.3 | 申请日： | 2009-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN103633150B | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 张清纯;柳盛衡 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 袁玥 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及具有电流浪涌能力的结势垒肖特基二极管。一种肖特基二极管，包括：具有第一表面的漂移层，所述第一表面与有源区和基本横向相邻于所述有源区的边缘终止区域相关联，其中所述漂移层主要以第一导电类型的掺杂材料掺杂并且所述边缘终止区域具有从所述第一表面延伸到所述漂移层中的边缘终止凹陷；在所述第一表面的所述有源区上方的肖特基层，用于形成肖特基结，所述肖特基层由能实现低势垒高度的金属形成；形成在所述边缘终止凹陷的底部表面中的边缘终止结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 浪涌 能力 结势垒肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，包括：具有第一表面的漂移层，所述第一表面与有源区相关联，其中所述漂移层主要以第一导电类型的掺杂材料掺杂；在所述第一表面的所述有源区上以及多个结势垒元件凹陷内的肖特基层，用于形成肖特基结，所述肖特基层相对于在所述第一表面上的所述有源区形成肖特基结；以及在所述肖特基结下方形成在所述漂移层中的结势垒元件的阵列，其中所述漂移层包括所述多个结势垒元件凹陷，使得所述结势垒元件的阵列的至少特定结势垒元件是围绕所述多个结势垒元件凹陷中对应的结势垒元件凹陷延伸到所述漂移层中的掺杂区域，其中对应于所述多个结势垒元件凹陷的多个第一掺杂区域被与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂材料以高达300keV的能量掺杂，并且所述多个结势垒元件凹陷中的每个结势垒元件凹陷之间的间隔在1μm与3μm之间，其中每个结势垒元件凹陷之间的所述间隔被配置为对所述间隔处的电流路径增加电阻，使得与所述间隔相邻的所述至少特定结势垒元件以期望水平的正向电流开始导通。
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