[发明专利]多端口静态随机存取存储器的制造

摘要

本发明的一些实施例涉及包括在其上的鳍式场效应晶体管（FinFET）的集成电路。该集成电路包括具有第一导电类型并且相互分隔开的第一和第二有源鳍区。栅极介电层设置在第一和第二有源鳍区上方。第一和第二栅电极分别设置在第一和第二有源鳍区上方。第一和第二栅电极也设置在栅极介电层上方。第一和第二栅电极电连接在一起，并且通过栅极介电层与第一和第二有源鳍区电分隔开。第一栅电极由具有第一功函数的第一金属制成，并且第二栅电极由具有不同于第一功函数的第二功函数的第二金属制成。本发明还公开了一种多端口静态随机存储器的制造。

主权项

1.一种集成电路，包括位于其上的鳍式场效应晶体管(FinFET)，所述集成电路包括：第一有源鳍区和第二有源鳍区，具有第一导电类型并且相互分隔开；第三有源鳍区，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；栅极介电层，设置在所述第一有源鳍区和所述第二有源鳍区上方；以及第一栅电极和第二栅电极，分别设置在所述第一有源鳍区和所述第二有源鳍区上方，并且设置在所述栅极介电层上方，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极相互电连接在一起并且通过所述栅极介电层与所述第一有源鳍区和所述第二有源鳍区分隔开；第三栅电极，设置在所述第三有源鳍区上方以及所述栅极介电层上方，其中，所述第三栅电极通过所述栅极介电层与所述第三有源鳍区电分隔开，其中，所述第一栅电极由具有第一功函数的第一金属制成，并且所述第二栅电极由具有与所述第一功函数不同的第二功函数的第二金属制成，并且所述第三栅电极由具有第三功函数的与所述第一金属和所述第二金属不同的第三金属制成。