[发明专利]发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体在审
| 申请号： | 201310409582.4 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104418590A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 张崇泰;张家豪 | 申请（专利权）人： | 张崇泰;张家豪 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C01B13/00 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 中国台湾台南市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，可增加外围超氧根离子(O2-)浓度，该陶瓷半导体于成型时掺加有可增强空间电荷效应的氧化物材料，且该陶瓷半导体具有复数个贯穿的通孔，该陶瓷半导体通电后产生电流及热，造成该陶瓷半导体的外层电子脱离，并留在该陶瓷半导体的通孔，且在该通孔累积形成电子云，空气经过该通孔后，空气中的氧与电子经冲撞后再结合，即形成超氧根离子(O2-)，由此，增加外围超氧根离子(O2-)量，以此高浓度超氧根离子(O2-)作为杀菌、活化细胞及帮助伤口愈合等效果。 | ||
| 搜索关键词： | 发热 可增加 外围 超氧根 离子 浓度 陶瓷 半导体 | ||
【主权项】：
一种发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，其特征在于：该陶瓷半导体于成型时掺加有可增强空间电荷效应的氧化物材料，且该陶瓷半导体具有一个以上贯穿的通孔；由此，该陶瓷半导体通电后产生电流及热，造成该陶瓷半导体外层电子脱离并留在通孔，且在通孔累积形成电子云，空气经过通孔后，空气中的氧与电子冲撞后结合，形成超氧根离子，使该陶瓷半导体可释出超氧根离子。
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