[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。第一MOSFET形成在芯片的第一区域中，且第二MOSFET形成在其第二区域中。第一源极端子和第一栅极端子形成在第一区域中。在第二区域中，第二源极端子和第二栅极端子被布置为在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向上对齐。温度检测二极管被布置在第一源极端子和第二源极端子之间。温度检测二极管的第一端子和第二端子在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向的第一方向上或基本上与其垂直的第二方向上对齐。

主权项

一种半导体器件，包括：芯片，所述芯片包括形成在第一区域中的第一MOSFET以及形成在第二区域中的第二MOSFET；所述第一MOSFET和所述第二MOSFET的公共漏电极，所述公共漏电极形成在所述芯片的背表面上；所述第一MOSFET的第一源极端子和第一栅极端子，所述第一源极端子和所述第一栅极端子形成在所述第一区域中的所述芯片的表面上；所述第二MOSFET的第二源极端子和第二栅极端子，所述第二源极端子和所述第二栅极端子形成在所述第二区域中的所述芯片的表面处，且被布置为在基本上平行于所述第一源极端子和所述第一栅极端子对齐的方向上对齐；二极管，所述二极管被布置在所述第一源极端子和所述第二源极端子之间；以及所述二极管的第一端子和第二端子，所述第一端子和所述第二端子被布置为在基本上平行于所述第一源极端子和所述第一栅极端子对齐的方向的第一方向上或在基本上与其垂直的第二方向上对齐。