[发明专利]单光子光源元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310410729.1 | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN104425659B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 徐丽昕 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种单光子光源元件制造方法，包括以下步骤提供一前驱体，该前驱体包含一基板及在该基板上依次生长的一未掺杂的低温GaN层、一未掺杂的高温GaN层、一N型GaN层、一量子阱层和一结构层；蚀刻所述前驱体的结构层、量子阱层和N型GaN层并形成楔形结构的阵列和一平面区；蚀刻楔形结构为柱状结构；在NH3气氛中热处理，使量子阱层转变为量子点层；在柱状结构侧面及柱状结构之间的N型GaN层的上表面生长一高介电层；在柱状结构的顶面所在平面之上依次生长一P型GaN层和一ITO层；在ITO层上和平面区上分别设置电极。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 光源 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单光子光源元件制造方法，包括以下步骤：提供一前驱体，该前驱体包含一基板及在该基板上依次生长的一未掺杂的低温GaN层、一未掺杂的高温GaN层、一N型GaN层、一量子阱层和一结构层，所述量子阱层的材料为InxGa1‑xN，其中，0＜x≤1，所述结构层的材料为AlyGa1‑yN，其中0≤y≤1；蚀刻所述前驱体的结构层、量子阱层和N型GaN层并形成楔形结构的阵列和一平面区，其中N型GaN层未被完全蚀刻；蚀刻楔形结构为柱状结构；在NH3气氛中热处理，使量子阱层转变为量子点层，所述量子点层为包含量子点的InzGa1‑zN层，其中，0＜z≤1；在柱状结构侧面及柱状结构之间的N型GaN层的上表面生长一高介电层；在柱状结构的顶面所在平面之上依次生长一P型GaN层和一ITO层；在ITO层上和平面区上分别设置电极。
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