[发明专利]一种镶嵌C/C的C/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法无效
申请号: | 201310412247.X | 申请日: | 2013-09-11 |
公开(公告)号: | CN103724041A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 陈照峰;汪洋 | 申请(专利权)人: | 太仓派欧技术咨询服务有限公司 |
主分类号: | C04B35/83 | 分类号: | C04B35/83;C04B35/565;C04B35/80;C04B35/622 |
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摘要: | 本发明公开了一种镶嵌C/C的C/SiC陶瓷基复合材料,由C/C复合材料和C/SiC陶瓷基复合材料组成,其特征在于在C/C复合材料周围包裹一层C/SiC陶瓷基复合材料C/SiC陶瓷基复合材料厚度为5~20mm。在制备好的C/C复合材料表面包裹一层碳纤维编织体,通过聚碳硅烷液相浸渍热解的方法向碳纤维编织体中渗入SiC,得到一种镶嵌C/C的C/SiC陶瓷基复合材料。因为本发明的复合材料的内层是由C/C复合材料构成,其基体与增强相之间为同类,故其热膨胀系数较为一致,材料整体抗热震性能十分优异,膨胀系数低,强度高、比重轻等优点,且制备效率高,工艺简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 镶嵌 sic 陶瓷 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种镶嵌C/C的C/SiC陶瓷基复合材料,由C/C复合材料和C/SiC陶瓷基复合材料组成,其特征在于在C/C复合材料周围包裹一层C/SiC陶瓷基复合材料。
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