[发明专利]一种基于选择性隧穿原理的太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201310412431.4 | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103680988A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 郭雪峰;贾传成;顾春晖 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100871 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于选择性隧穿原理的太阳能电池及其制备方法。包括如下步骤：（1）制备表面平整的宽禁带半导体；所述宽禁带半导体为二氧化钛或二氧化锌；（2）将石墨烯转移至所述宽禁带半导体的一表面上，然后继续在所述石墨烯上组装光激发材料得到光激发材料层；（3）在所述宽禁带半导体的另一表面组装低功函金属，即得到所述太阳能电池。本发明提供的太阳能电池的电荷分离基于全新的选择性隧穿机制，电子跨越式隧穿进入二氧化钛导带，空穴不能跨过而被石墨烯上的电子还原。即仅一单原子层石墨烯就成功替代了传统染料敏化太阳能电池中的电解质溶液与对电极，大大简化了太阳能电池的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 选择性 原理 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于选择性隧穿原理的太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：（1）制备表面平整的宽禁带半导体；所述宽禁带半导体为二氧化钛或二氧化锌；（2）将石墨烯转移至所述宽禁带半导体的一表面上，然后继续在所述石墨烯上组装光激发材料得到光激发材料层；（3）在所述宽禁带半导体的另一表面组装低功函金属，即得到所述太阳能电池。
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