[发明专利]一种铜铟镓硒靶材的制备及应用方法

摘要

本发明公开了一种铜铟镓硒靶材的制备及应用方法，通过先将铟、镓、硒三种原料进行三元混炼，经再加工得到铟镓硒三元合金靶材，然后再与高纯铜板绑定得到铜铟镓硒靶材，高纯铜板既作为铜铟镓硒靶材的原料又作为靶材背板，有效避免了将熔点较高的铜与铟、镓、硒一起共同熔炼而造成的靶材组分难以控制的问题。在本发明所得的铜铟镓硒靶材的应用过程中，先通过溅射在衬底上形成铟镓硒和铜的混合薄膜，再通过退火使得铜扩散进入铟镓硒中形成铜铟镓硒薄膜，该应用方法简便，且所得铜铟镓硒薄膜质量高，具有广阔的应用前景。

主权项

一种铜铟镓硒靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将纯度不低于99.99％的铟、镓、硒三种原料，按照质量百分比为30～50％的铟、10～30％的镓、40～60％的硒的配比在耐高温容器里充分混合后，置于0.01～1Pa、400～600℃的环境下熔炼3～6小时，缓慢降至室温后得到铟镓硒合金锭；(2)将所述铟镓硒合金锭破碎成直径为1～3mm的合金块，置于球磨机内以300～500r／min的转速球磨0.5～1小时，再过100目以上筛，获得铟镓硒粉末；(3)将所述铟镓硒粉末装入真空热压炉的模具内，将所述真空热压炉抽真空至0.01～1Pa后，缓慢升温至400～600℃，同时加压至40～60MPa，保温保压4～6小时，再缓慢降温降压至室温常压，得到相对密度不低于95％的铟镓硒靶材；(4)选择厚度为18～25mm且纯度不低于99.99％的高纯铜板，在其一面加工出深度为10～15mm且可容纳一块以上所述铟镓硒靶材的凹台，所述凹台表面经打磨抛光处理；(5)将步骤(3)中所得的所述铟镓硒靶材绑定在所述凹台上，得到铜铟镓硒靶材。