[发明专利]具有嵌入式发射极短路触点的快速切换IGBT及其制作方法有效
| 申请号： | 201310414134.3 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103681827B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | J·科瑞克;J·M·S·奈尔松;S·彭哈卡 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331;H01L27/082 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有嵌入式发射极短路触点的快速切换IGBT及其制作方法。呈现了具有带一体发射极短路的高压IGBT的集成电路，以及制造工艺，该制造工艺采用晶片接合或者生长外延硅，用于受控的漂移区厚度和较快的切换速度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 嵌入式 发射极 短路 触点 快速 切换 igbt 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，其包括：布置在所述集成电路的顶侧和相对的底侧之间的半导体主体，所述半导体主体包括第一晶片和第二晶片，所述第一晶片具有靠近所述半导体主体的所述顶侧的上侧，所述第二晶片具有靠近所述半导体主体的所述底侧的下侧，所述第一晶片和所述第二晶片沿着界面彼此接合；在所述半导体主体中形成的第一导电类型的多个发射极区；在所述半导体主体中靠近所述发射极区形成的第二导电类型的漂移区，其中所述漂移区从顶侧分离所述多个发射极区；至少一个晶体管单元，其包括：布置在所述半导体主体中的所述第二导电类型的源区，布置在所述半导体主体中并位于所述源区和所述漂移区之间的所述第一导电类型的主体区，以及相对所述源区和所述主体区绝缘的栅电极，所述晶体管单元、所述发射极区和所述漂移区形成垂直绝缘栅双极晶体管；以及在所述半导体主体中靠近至少一个所述发射极区布置的所述第二导电类型的至少一个发射极短路触点；以及布置在所述发射极区和所述界面之间的硅化物层。
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