[发明专利]空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜

摘要

本发明提供一种空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜，空穴导电特性氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：将衬底置于密封反应室内的生长托盘上，加热托盘到高于氧化镓膜预期生长温度10-200℃，对衬底进行热处理；将托盘温度降到预定生长温度后，在预设压强范围内继续对反应室抽气；向反应室内通入镓源、氧源和掺杂源，实现氧化镓膜的外延生长；当氧化镓膜生长过程结束后，对氧化镓膜进行原位热处理或直接将氧化镓膜缓慢降温取样或取样后再进行热处理，得到空穴导电特性氧化镓膜。本发明步骤科学、合理，克服了现有技术的诸多问题，提供了一种有效的受主掺杂途径，能制备具有不同空穴浓度的氧化镓膜。

主权项

一种空穴导电特性氧化镓膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：选取衬底，并清洗后待用；步骤2：将衬底置于密封反应室内的生长托盘上，对反应室抽真空；步骤3：当反应室真空度至5×10‑3Pa以下，加热放置衬底的托盘；托盘升温到高于氧化镓膜预期生长温度10‑200℃后，将衬底进行热处理5‑60分钟；步骤4：将托盘温度降到氧化镓膜生长温度300‑1200℃中预设温度点后，使托盘旋转；步骤5：向反应室内通入镓源、氧源和掺杂源，实现氧化镓膜的外延生长；步骤6：控制氧化镓膜的生长速度为0.03‑3μm/h；步骤7：当氧化镓膜生长过程结束后进行原位热处理或直接将氧化镓膜降温到100℃以下后直接取样或取样后在反应室外再进行热处理，得到空穴导电特性氧化镓膜。