[发明专利]用于制造具有电覆镀通孔的构件的方法有效
| 申请号： | 201310414868.1 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN103508413B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | J·莱茵穆特;J·弗莱;Y·贝格曼 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 描述一种用于制造具有电覆镀通孔(110)的部件(300)的方法，其中所述方法包括以下步骤：‑提供具有前侧(101)和与所述前侧(101)相反对置的背侧(102)的半导体衬底(100)，‑在所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)上产生环形包围接触区域(103)的绝缘沟槽(121)，‑在所述绝缘沟槽(121)中施加绝缘材料(122)，‑在所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)上通过去除所述接触区域(103)中被所述绝缘沟槽(121)包围的半导体材料(104)产生接触孔(111)，以及‑在所述接触孔(111)中沉积金属材料(114)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 电覆镀通孔 构件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造具有电覆镀通孔(110)的部件(300)的方法，包括以下步骤：‑提供具有前侧(101)和与所述前侧(101)相反对置的背侧(102)的半导体衬底(100)，‑在所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)上产生环形包围接触区域(103)的绝缘沟槽(121)，‑在所述绝缘沟槽(121)中借助压制方法施加绝缘材料(122)，‑在所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)上通过去除所述接触区域(103)中被所述绝缘沟槽(121)包围的半导体材料(104)产生接触孔(111)，以及‑在所述接触孔(111)中沉积金属材料(114)，其中，所述绝缘沟槽(121)被构造为盲孔，以及其中在所述金属材料(114)沉积在所述接触孔(111)中之后从所述背侧(102)减薄所述半导体衬底(100)，从而在此暴露所述绝缘材料(122)和所述金属材料(114)，及其中，沉积在所述接触孔中的所述金属材料仅从所述接触孔的底部延伸到所述接触孔的上端，所述上端位于所述半导体衬底的前侧的高度上。
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