[发明专利]功率半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201310416427.5 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103681540A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 宫本升;吉松直树;牛岛光一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体装置及其制造方法，该功率半导体装置具有：功率半导体元件（1）；高压电极（2），其与功率半导体元件（1）电连接；散热板（4），其与功率半导体元件（1）连接，并具有散热性；冷却体（6），其经由绝缘膜（5）与散热板（4）连接；以及封装体（10），其覆盖高压电极（2）的一部分、冷却体（6）的一部分、功率半导体元件（1）、散热板（4）以及绝缘膜（5）。冷却体（6）包含：基座部（7），其一部分埋设在封装体（10）中；以及冷却部件（8），其与基座部（7）连接。基座部（7）和冷却部件（8）为独立部件，冷却部件（8）固定在从封装体（10）露出的基座部（7）上。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体装置，其具有：功率半导体元件；高压电极，其与所述功率半导体元件电连接；散热板，其与所述功率半导体元件连接，并具有散热性；冷却体，其经由绝缘膜与所述散热板连接；以及封装体，其覆盖所述高压电极的一部分、所述冷却体的一部分、所述功率半导体元件、所述散热板以及所述绝缘膜，所述冷却体包含：基座部，其一部分埋设在所述封装体中；以及冷却部件，其与所述基座部连接，所述基座部和所述冷却部件为独立部件，所述冷却部件固定在从所述封装体露出的所述基座部上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310416427.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：紧凑型散热模组
- 下一篇：半导体封装件及其制法
