[发明专利]一种周期性结构的背反射电极及其制备方法在审
申请号: | 201310416645.9 | 申请日: | 2013-09-13 |
公开(公告)号: | CN103474483A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 张晓丹;梁雪娇;赵颖;高海波;侯国付;许盛之;魏长春 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/052;H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种周期性结构的背反射电极,包括衬底层、形成模板作用的第一层金属薄膜和起修饰作用的第二层金属薄膜,两层金属薄膜均为金属Ag、Al或Mo薄膜,构成具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极;其制备方法,利用水浴方法组装聚苯乙烯(PS)微球,用O2等离子刻蚀PS微球,利用刻蚀后的聚苯乙烯微球的模板作用,得到具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极用于作薄膜太阳电池的背反射电极。本发明的优点是:利用聚苯乙烯微球的模板作用和磁控溅射或蒸发金属薄膜,实现了高散射的周期性结构背反射电极的制备;应用于薄膜太阳电池,其短路电流密度和转换效率得到了提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 周期性 结构 反射 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种周期性结构的背反射电极,其特征在于:包括衬底层、形成模板作用的第一层金属薄膜和起修饰作用的第二层金属薄膜,衬底层为硬质衬底玻璃,两层金属薄膜均为金属Ag、Al或Mo薄膜,其中第一层薄膜厚度为300‑1000nm,第二层金属薄膜的厚度为100‑500nm,构成具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极,周期性结构的背反射电极均方根粗糙度为50‑200 nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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