[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201310419349.4 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103681805B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;须泽英臣;笹川慎也;仓田求;津吹将志 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种晶体管的导通特性得到提高且能够实现高速响应、高速驱动的半导体装置。并且，制造可靠性高且示出稳定的电特性的半导体装置。本发明的一个方式是具有晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一氧化物层；第一氧化物层上的氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极层及漏电极层；氧化物半导体层上的第二氧化物层；第二氧化物层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层，其中，第二氧化物层的边缘部及栅极绝缘层的边缘部与源电极层及漏电极层重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 氧化物层 氧化物半导体层 栅极绝缘层 晶体管 漏电极层 源电极层 边缘部 制造 导通特性 高速驱动 高速响应 栅电极层 电特性 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：第一氧化物层；所述第一氧化物层上的氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源电极层和漏电极层；所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层上的第二氧化物层；所述第二氧化物层上的栅极绝缘层；以及所述栅极绝缘层上的栅电极层，其中，所述第二氧化物层的侧面在所述源电极层或所述漏电极层的上方与所述栅极绝缘层的侧面对齐。
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