[发明专利]一种白光量子点发光二极管及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310419663.2 申请日: 2013-09-16
公开(公告)号: CN103441220A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 陈静;雷威;张晓兵 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 代理人: 王斌
地址: 210096*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种白光量子点发光二极管及其制备方法,白光量子点发光二极管器件,包括基底上形成的阴极、空穴传输层,量子点发光层,无机纳米颗粒发光层和阳极电极,空穴传输层厚10-50nm,量子点发光层厚5-30nm,无机颗粒发光层厚5-40nm。首先在透明导电玻璃基板上制备空穴传输层,并在氮气环境下烧结,然后将量子点层制备于空穴传输层之上,量子点发光层与空穴传输层共同在氮气环境下烧结,接着将无机纳米颗粒发光层制备于量子点发光层之上,在氧气中烧结0-40分钟,最后制备阳极电极。该二极管可以提高电子与空穴的注入率,增加器件的发光效率,同时在器件内部进行能量转化。
搜索关键词: 一种 白光 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
白光量子点发光二极管器件,包括基底上形成的阴极(1)、空穴传输层(2),量子点发光层(3),无机纳米颗粒发光层(4)和阳极(5),其特征在于:空穴传输层(2)厚10‑50 nm,量子点发光层(3)厚5‑30 nm,无机颗粒发光层(4)厚5‑40 nm。
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