[发明专利]一种混合键合实现方法有效
| 申请号： | 201310419725.X | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103474366A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 宋崇申;张文奇 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/603;H01L21/304 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种混合键合实现方法，包括如下步骤：（1）在衬底表面制作金属凸块；（2）在衬底表面涂覆介质层，覆盖所述金属凸块；（3）采用机械刮平的方式，处理衬底表面，使衬底表面金属凸块和介质层表面在一个平面上；（4）使采用以上方法制作的两层衬底相对，使两层衬底表面金属凸块和介质层对准，并通过施加压力和温度条件实现两层衬底的键合。本发明的优点是：采用机械刮平的方式处理衬底表面，获得混合键合结构，整个工艺流程不需要CMP工艺，降低混合键合工艺的难度和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种混合键合实现方法，其特征是，包括如下步骤：在衬底表面制作金属凸块；在衬底表面涂覆介质层，覆盖所述金属凸块；采用机械刮平的方式，处理衬底表面，使衬底表面金属凸块和介质层表面在一个平面上；使采用以上方法制作的两层衬底相对，使两层衬底表面金属凸块和介质层对准，并通过施加压力和温度条件实现两层衬底的键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
