[发明专利]基于三线态-三线态湮灭上转换发光的光致形变高分子材料

摘要

本发明属于光响应高分子材料领域，具体为一种基于三线态-三线态湮灭上转换发光机制的光致形变高分子材料。该材料由含有偶氮苯基团的液晶高分子和基于三线态-三线态湮灭的上转换发光材料组成。含有偶氮苯基团的液晶高分子本身对长波长可见光或近红外光没有刺激响应性，在材料体系制备过程引入三线态-三线态湮灭的上转换发光材料，通过上转换过程产生使偶氮苯基团发生刺激响应的短波可见光，使得整个材料体系在长波长可见光或者近红外光的照射下能够实现形变；该长波长可见光或近红外光驱动材料体系可促进光致形变高分子材料在生物芯片领域和微执行器件等方面的应用。

主权项

1. 基于三线态-三线态湮灭上转换发光的光致形变高分子材料，其特征在于由基于三线态-三线态湮灭的上转换材料和含有偶氮苯基团的液晶高分子组成；所述的液晶高分子材料由单体X和交联剂Y，在热引发剂或光引发剂存在的条件下，发生热聚合反应或者光聚合反应而获得；所述单体X的结构通式为：D₁—A₁—R交联剂Y的结构通式为：D₂—A₂—D₃其中，R是H，或者是C₁-C₁₈的取代或未取代的羟基或烷氧基，或者是具有极性的端基，该端基选择自氰基、异氰基、羟基、卤素、酯基、羧基、硝基、氨基或酰胺基；A₁、A₂选自如下结构式1～15中的一种、两种或者三种；且A₁和A₂中至少有一个含有偶氮苯的共轭结构： 结构式5-12中，B、B₁、B₂是取代或未取代的脂肪族环、芳环、稠环、杂环，或者是他们的衍生物；D₁-D₃是含有可聚合反应官能团结构的基团，该可聚合反应官能团结构为碳碳双键结构、环氧乙烷结构或异氰酸酯结构，选自下述结构式16-21中的一种： 其中R₁是H或者CH₃；R₂是H，或者在单体通式中不出现，或者是C₁-C₁₈的取代或未取代的的羟基或烷氧基、烷硫基、烷氨基、二烷氨基、烷酰基、烷酰氧基，烷酰氨基、烷磺酰基，或者是他们相应的衍生物。