[发明专利]有源电感/电容的切换电路有效
| 申请号： | 201310419753.1 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103475358B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 李琛;杨森林;杨海玲 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有源电感/电容的切换电路，包括第一NMOS晶体管，其源极连接第三电流源，漏极接电压源；第二NMOS晶体管，其漏极连接第二电流源及所述第一NMOS晶体管的栅极；第三NMOS晶体管，其漏极与所述第二NMOS晶体管的源极相连，栅极与所述第一NMOS晶体管的源极相连，源极接地；以及第四NMOS晶体管，其漏极与所述第二NMOS晶体管的栅极以及第一电流源相连，栅极与所述第三NMOS晶体管的源极相连，漏极接地，其中所述有源电感/电容的切换电路在其工作频率为低频时等效为有源电感，高频时等效为有源电容。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 电感 电容 切换 电路 | ||
【主权项】：
1.一种有源电感/电容的切换电路，其特征在于，包括：第一NMOS晶体管，其源极连接第三电流源，漏极接电压源；第二NMOS晶体管，其漏极连接第二电流源及所述第一NMOS晶体管的栅极；第三NMOS晶体管，其漏极与所述第二NMOS晶体管的源极相连，栅极与所述第一NMOS晶体管的源极相连，源极接地；以及第四NMOS晶体管，其漏极与所述第二NMOS晶体管的栅极以及第一电流源相连，栅极与所述第三NMOS晶体管的漏极相连，源极接地，其中所述有源电感/电容的切换电路在其工作频率为低频时等效为有源电感，高频时等效为有源电容。
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