[发明专利]p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法无效
| 申请号： | 201310419775.8 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN103474333A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 刘超;张理嫩;杨秋旻;崔利杰;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法，包括如下步骤：步骤1：取一单晶衬底；步骤2：在单晶衬底上，外延生长单晶薄膜；步骤3：在单晶薄膜的表面上沉积一层SiO2纳米薄膜；步骤4：利用双能态氮离子注入的方法，从SiO2纳米薄膜的表面向下注入氮元素，在SiO2纳米薄膜的下面形成p型掺杂层，形成样品；步骤5：对样品做快速热退火处理；步骤6：去除样品表面的SiO2纳米薄膜，完成制备。本发明与现有的微电子器件制造工艺相兼容，易于实施。此外，本方法还可适用于本征碲化锌体单晶表面的p型掺杂，以及供其它II-VI族化合物半导体薄膜材料做p型掺杂实验时参考。 | ||
| 搜索关键词： | 型碲化锌单晶 薄膜 材料 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法，包括如下步骤：步骤1：取一单晶衬底；步骤2：在单晶衬底上，外延生长单晶薄膜；步骤3：在单晶薄膜的表面上沉积一层SiO2纳米薄膜；步骤4：利用双能态氮离子注入的方法，从SiO2纳米薄膜的表面向下注入氮元素，在SiO2纳米薄膜的下面形成p型掺杂层，形成样品；步骤5：对样品做快速热退火处理；步骤6：去除样品表面的SiO2纳米薄膜，完成制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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