[发明专利]用于GaN基半导体LED芯片的绝缘结构及其制造工艺

摘要

本发明涉及一种用于GaN基半导体LED芯片的绝缘结构及其制造工艺，包括以下步骤：（1）在LED芯片的外延片表面沉积SiO2层；（2）在SiO2层的表面涂光刻胶，光刻、曝光、显影在掩膜层上形成刻蚀窗口；在刻蚀窗口处刻蚀形成绝缘带，绝缘带由外延片的上表面延伸至衬底的上表面；去除掩膜层；（3）在外延片表面和绝缘带表面沉积SiO2得到绝缘层；（4）在SiO2绝缘层上采用SiO2蚀刻液在P型金属电极和N型金属电极处刻蚀出开口，在开口处采用金属蒸镀机制作金属导线，即完成LED芯片的绝缘结构。本发明可以完好地隔离各个导电物质，工艺实施便利、成本较低、工艺可靠度高、生产良率高。

主权项

一种用于GaN基半导体LED芯片的绝缘结构，包括衬底（4），在衬底（4）上设置多个发光单元，其特征是：所述发光单元之间由刻蚀形成的绝缘带（8）分隔，在发光单元的表面和绝缘带（8）的表面设置SiO2绝缘层（9）；所述发光单元的P型金属电极（6）和N型金属电极（7）的上部裸露出SiO2绝缘层（9）的上表面，发光单元的P型金属电极（6）和相邻发光单元的N型金属电极（7）通过金属导线（10）连接。