[发明专利]串行线性热处理器排列

摘要

一种串行线性热处理器排列，用于经由一系列具有底部处理腔室区的可密封的腔室逐步地传送位于附加电路板上的处理前的芯片/基板组合件。该过程系由加载站开始并未于附加电路板上的芯片/基板组合件通过具不同熔融和真空条件的不同腔室，最后于载出站结束。

主权项

一种用于制造芯片的电子半导体组件系统的串行线性热处理器排列，用于经由一系列独立且线性相邻的腔室，连续地处理线性芯片处理器内的分离并预先焊接的半导体组件的处理前的芯片/基板组合件，其中，该处理前的芯片/基板组合件被负载至位于该处理器的起始的载入/载出站的腔室内的附加电路板，该处理前的芯片/基板组合件承载大气压力，且该腔室被充以氮气；该处理前的芯片/基板组合件经由该被移动至上加热板与垂直且可位移的下加热板之间的位置的设备附加电路板被推送进入第一处理腔室/站，且该经预处理的芯片/基板组合件被加热至低于焊料熔融温度，该第一腔室/站被维持低于大气压力，甲酸蒸气管被引入，且该腔室/站的底部处理腔室被降低；该处理前的芯片/基板组合件被推送进入位于该上下加热板之间的等待的开启的第二腔室/站，该第二腔室/站藉由其底部加热器的垂直移动被关闭，其中，该处理前的芯片/基板组合件至高于焊料熔融温度，该第二腔室/站被保持真空且甲酸蒸气管被引入该第二腔室/站；该处理前的芯片/基板组合件处理腔室藉由其底部加热器的垂直下降被开启，以使得附加电路板由该第二站被推送至等待的现已被开启且位于其上下加热板之间的第三腔室/站，该第三腔室/站被关闭且该经预处理的芯片/基板组合件被加热至高于焊料熔融温度，该第三腔室/站被保持真空且甲酸蒸气管被引入该第三腔室/站；该处理前的芯片/基板组合件由该第三腔室/站的开口上藉由其底部加热板的降低被传送至等待的开启的第四腔室/站的底部或下加热板，且该经预处理的芯片/基板组合件置于该第四腔室/站的上加热板与该下加热板之间，该第四腔室/站的底部处理部被升高以升高该下加热板藉以关闭该第四腔室/站，且该芯片/基板组合件被加热至高温，以进一步处理分离的芯片和基板间的焊料，使得芯片的焊料与该基板电性连接，且甲酸蒸气管被引入该第四腔室/站；该被加热且被连接的芯片/基板组合件被传送至第五腔室/站的降低 的底部处理腔室区，该底部处理腔室部升高以关闭该腔室，该组合件被加热至峰值的焊料熔融温度，以于真空条件下熔融并链接该芯片/基板组合件，其中，该腔室被充以氮气；该被链接的芯片/基板组合件由该第五腔室/站的开口上被传送至第六腔室/站且被冷却至周围温度或室温；以及该芯片/基板组合件被传送至最终下游的载入/载出站，该被链接的芯片/基板组合件从该加载/载出站的腔室被承载；其中，于约10秒至约300秒的期间，该第一、第二、第三与第四腔室/站于约760托耳的压力下被个别加热至默认温度，该默认温度范围由约150℃至约270℃。