[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310421327.1 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN104465751B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 洪世芳;邱崇益 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置。半导体装置包括一主动鳍片区(active fin region)、至少一栅极条以及一虚拟鳍片区(dummy fin region)。主动鳍片区包括至少一主动鳍片(active fin)。栅极条形成于主动鳍片区上，并延伸跨过主动鳍片。虚拟鳍片区形成于主动鳍片区的两侧，虚拟鳍片区包括多个虚拟鳍片(dummy fin)，虚拟鳍片形成于栅极条的两侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：主动鳍片区(active fin region)，包括多个主动鳍片(active fin)，该些主动鳍片平行设置；至少一栅极条，形成于该主动鳍片区上，并延伸跨过该些主动鳍片；虚拟鳍片区(dummy fin region)，形成于该主动鳍片区的两侧，该虚拟鳍片区包括多个虚拟鳍片(dummy fin)，该些虚拟鳍片形成于该栅极条的两侧；以及外延层(epi layer)，形成于该些主动鳍片上，并连接该些主动鳍片。
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