[发明专利]一种能消除负阻效应的RC-IGBT

摘要

一种能消除负阻效应的RC-IGBT，属于半导体功率器件领域。本发明在传统RC-IGBT基础上，通过版图设计将IGBT区域设计在有源区，二极管区域设计在IGBT的四周形成过渡区。通过这样的版图设计，使得器件工作在IGBT模式下，IGBT区域将不会到受二极管的影响；二极管模式下时，二极管的性质也不会受到IGBT的影响。同时，在二极管工作模式时，采用P型过渡区作为二极管的阳极，N型集电极作为二极管的阴极，会提高二极管的导通性能。仿真验证在正向导通的时候，本发明没有Snapback现象且不论正向导通和反向导通的时候电流都很均匀，实现了静态导通压降和动态关断损耗之间的良好折中，提高了RC-IGBT综合性能。

主权项

一种能消除负阻效应的RC‑IGBT，其结构包括器件有源区、器件过渡区和器件终端区；所述器件有源区包括P型集电区（10）、N‑漂移区（6）、位于P型集电区（10）和N‑漂移区（6）之间的N型缓冲层（8），所述N‑漂移区（6）表面具有多个均匀分布的P型体区（5），所述P型体区（5）中具有与发射极金属相连的N+源区（1）；所述器件有源区还包括器件栅极结构，所述栅极结构由栅氧化层（3）和多晶硅栅电极（2）构成，其中栅氧化层（3）位于多晶硅栅电极（2）与P型体区（5）和N‑漂移区（6）之间；所述器件过渡区包括N型集电区（9）、N‑漂移区（6）、位于N型集电区（9）和N‑漂移区（6）之间的N型缓冲层（8），过渡区的N‑漂移区（6）表面具有与发射极金属相连的P型过渡区；所述器件终端区包括P型集电区（10）、N‑漂移区（6）、位于P型集电区（10）和N‑漂移区（6）之间的N型缓冲层（8）；所述器件过渡区在器件横向方向上位于器件有源区和器件终端区之间。