[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310421738.0 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN104282649B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;洪瑞斌;蔡柏豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，其中，扇出型封装件包括模塑料、导电插塞和应力缓冲层。导电插塞位于模塑料中。应力缓冲层位于导电插塞和模塑料之间。应力缓冲层具有热膨胀系数（CTE）。应力缓冲层的CTE介于模塑料的CTE和导电插塞的CTE之间。制造三维半导体封装件的方法包括在衬底上镀柱形件，并且在柱形件的侧壁上设置应力缓冲层。该方法进一步包括用模塑料围绕应力缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种扇出型封装件，包括：模塑料；导电插塞，位于所述模塑料中；以及应力缓冲层，位于所述导电插塞和所述模塑料之间，所述应力缓冲层的热膨胀系数(CTE)介于所述模塑料的CTE和所述导电插塞的CTE之间，并且所述应力缓冲层是复合膜，所述复合膜的应力缓冲层的CTE随着远离所述导电插塞而增加。
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