[发明专利]一种横向高压超结功率半导体器件有效
| 申请号： | 201310421765.8 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN103489915A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 乔明;章文通;黄军军;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体技术，具体的说是涉及一种电荷补偿的横向高压超结功率半导体器件。本发明的横向高压超结功率半导体器件，在P型衬底层表面覆盖一层N型电荷补偿层的结构，N型电荷补偿层有多种掺杂方式，包括均匀掺杂、线性掺杂及离散掺杂等。线性掺杂可以使衬底辅助耗尽作用明显减小。本发明的有益效果为，在线性掺杂的基础上使用注入选择函数对掺杂浓度进行调整得到一种优化的掺杂方式，其充分考虑理想衬底条件以及等效衬底本身的电荷平衡条件，可以更好地克服衬底辅助耗尽作用的影响，使超结LDMOS得到最优的耐压性能。本发明尤其适用于横向高压超结功率半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 高压 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种横向高压超结功率半导体器件，其元胞结构包括P型衬底(1)、N型条区(3)、P型条区(4)、P型体区(5)、N型重掺杂源区(6)、P型重掺杂区体区(7)、栅氧化层(8)、N+漏极区域(9)、漏极接触电极(10)、多晶硅栅(11)、源极接触电极(12)和衬底接触电极(13)；所述N型条区(3)和P型条区(4)沿P型衬底(1)上表面纵向交错排列构成超结结构，所述P型体区(5)设置在P型衬底(1)上表面的一端并与超结结构连接，所述N+漏极区域(9)设置在超结结构上远离P型体区(5)的一端，所述漏极接触电极(10)设置在N+漏极区域(9)的上表面；所述N型重掺杂源区(6)和P型重掺杂区体区(7)设置在P型体区(5)中并相互独立；所述源极接触电极(12)设置在P型重掺杂区体区(7)的上表面，所述栅氧化层(8)设置在P型体区(5)的上表面和部分N型重掺杂源区(6)的上表面；所述多晶硅栅(11)设置在栅氧化层(8)的上表面；所述衬底接触电极(13)设置在P型衬底(1)的下表面；其特征在于，还包括N型电荷补偿层(2)，所述N型电荷补偿层(2)设置在P型衬底(1)、N型条区(3)和P型体区(5)之间，N型电荷补偿层(2)的下表面与P型衬底(1)的上表面连接、上表面与N型条区(3)和P型体区(5)的下表面连接，将终端区域n型缓冲层10与p型集电区11完全隔离。
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